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余天成把基片放回桌上，没有立刻表态。他转向陆廷芳。

“陆教授，你们射频那边的情况呢？”

陆廷芳推了推眼镜，从随身的布袋里拿出几张打印好的图表，铺在桌面上。

“我做了一辈子射频。现在的手机射频前端，滤波器、开关、功率放大器，大多是分立器件，占板面积大，功耗也下不来。”

“3G，4G上来之后，频段越来越多，双模、多模是必然趋势，分立的方案迟早走不下去。”

她拿出了一张架构图。

“我的想法是做集成。把滤波器、开关、功放往一个模组里收，用CMOS工艺打底，把砷化镓的那些分立器件替掉。”

“理论上能省三成面积，功耗降两成。但问题在于滤波器的Q值。”

“CMOS上做不高。这是材料层面的问题，不是电路设计能绕过去的。”

余天成看着那张图，脑子里快速转动着。

陆廷芳说的这个问题，在前世也是射频前端集成化最核心的卡点之一。

滤波器需要压电材料，需要声学谐振结构，CMOS工艺本身做不了高性能的滤波器。

这个问题要到几年之后才被BAW和FBAR技术的成熟逐步解决。

“陆教授，您刚才说这是材料层面的问题。”

“周院士这边在做陶瓷基板，如果滤波器不追求全集成，而是用陶瓷基板做系统级封装，把不同工艺的裸片封在一起，有没有可能绕过去？”

余天成按照前世做设备时的经验，跟两人问了一句。

陆廷芳和周玉良同时抬起了头，对视了一眼：“系统级封装？”

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